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盤點2013年TD強芯之旅：嬗變中的逆襲與涅磐

回看2013年，從TD-SCDMA到TD-LTE，由我國自主標準推動的TD產業已走過了15年的崢嶸歷程。在這條中國謀取國際電信業話語權的道路上，我國芯片產業也從2G時代無芯，到3G時代有芯，并在4G時代努力實現強芯的飛躍。
過去，芯片一直是制約TD-SCDMA發展的關鍵因素之一，但在2013年，經過TD-SCDMA產業發展的培育洗禮以及3G市場競爭的歷練，我國芯片產業逐步發展壯大，這一瓶頸問題基本得到了根本解決。而隨著TD-LTE商用化進程的推進，以及最終4G牌照的發放，我國TD芯片產業正進入新一輪黃金發展期。
如何把握這一黃金發展時期，成為中洋芯片廠商的思考，同時，在市場的變換滌蕩中，海內外廠商的格局與前景也經歷一番洗禮和變革，使得國芯片廠商迎來逆襲的機會，能否真正實現涅槃，還在于技術水平的提升、專利的儲備以及產品演進研發的布局等。
嬗變的市場：TD芯片迎歷史發展拐點
談起TD芯片市場，不得不先說TD-SCDMA產業，在TD-SCDMA產業發展初期，芯片可謂整個產業鏈中最薄弱的環節。但在2013年，TD-SCDMA產業鏈終于完成了對WCDMA和CDMA2000的追趕和超越，特別是在最為薄弱的終端與芯片環節完成了反超。同時，隨著4G牌照的發放，芯片廠商對支持TD-LTE的LTE芯片的開發加大，同時在2G、3G、4G融合發展的態勢下，又促進了芯片廠商對TD-SCDMA的支持。
TD-SCDMA芯片
TD-SCDMA產業鏈的飛速發展得益于中國移動的大力推動。據了解，中國移動 2013年TD-SCDMA主設備招標，規模高達11.3萬個基站，是自2007年TD-SCDMA建設以來規模最大的一次招標。幾年來，中國移動TD-SCDMA累計網絡投資已超過1800億，終端補貼也超過300億，總計2100億元，目前仍在持續投入。
在中國移動的大力推動下，TD-SCDMA在芯片、終端等產業鏈各環節均取得了長足的進步，市場進入快速增長期。中國移動集團終端公司品質保障部副總經理穆家松公布的一組數據，凸顯了TD市場的變化：2013年上半年TD入網手機達到598款，是同期WCDMA手機的2.1倍，是CDMAEVDO手機的5.3倍；TD終端總銷量達6800萬，單月銷量均超1000萬。
這也極大促進了國內外芯片廠商對TD-SCDMA芯片的研發與支持熱情。例如，國內TD-SCDMA核心芯片商聯芯科技今年發布首款TD-SCDMA四核智能手機芯片LC1813以及首款四核平板電腦芯片LC1913。國外博通大中華區總裁兼全球銷售副總裁李廷偉表示：由于中國移動的手機需要支持TD-SCDMA，所以會把TD-SCDMA模塊放進已有的四模芯片中，讓它變成五模。
TD-LTE芯片
與此同時，2013年是TD-LTE發展的關鍵時期， TD-LTE技術和產業逐步邁向成熟，具備規模發展條件。在中國移動TD-LTE雙百計劃的帶動下，在最終4G牌照發放的促進下，目前，全球有超過17家芯片企業投入LTE芯片的開發，遠高于2G和3G時代數量。
就目前而言，國內外廠商在LTE芯片，尤其是對支持TD-LTE的LTE芯片上的開發上可謂不遺余力。從國際來看，高通已推出支持全球所有移動通信制式以及超過40個頻段的LTE終端芯片及解決方案。Marvell的多模多頻Modem芯片PXA1802已經量產， PXA1088 LTE版成熟方案平臺今年年內也將量產，它將是業界首款面向大眾市場的四核五模十三頻Cat4LTE單芯片解決方案。
從國內來看，我國海思已推出支持五模的LTE終端芯片，展訊、聯芯科技、中興微電子的多模芯片也已達到商用化水平，其中，聯芯科技推出全模SoC智能手機芯片采用28nm工藝，將助力終端客戶實現從3G到支持全球LTE的4G制式的無縫遷移，進一步邁向全球市場。聯發科年底推出了LTE modem，同時支持LTE FDD與TD-LTE，2014年上半年，基于四核或八核AP+4G Modem解決方案將進入量產，最終4G SoC將于下半年量產。
多變的格局：中洋廠商技術專利爭端
隨著TD芯片市場的崛起，以往對TD芯片靜觀其變的國際大廠商如高通、英特爾、Marvell、博通開始積極投身，而聯發科、海思、聯芯科技、中興微電子等國內廠商也在奮起直追。
2013年，中洋廠商的競相布局，幾經潮起潮落，有的被拆分如意法愛立信，有的被收購如展訊，有的轉型如聯發科，為TD芯片市場格局存在多變的未知之數埋下伏筆。同時，促成目前芯片市場廠商格局多變的現狀，很大成因在于海內外廠商在TD芯片技術與核心專利上的較量。
技術爭端
據了解，為更好滿足多網運營和國際漫游的需求，多模多頻已成為運營商對LTE芯片的要求之一，尤其是中國移動，甚至將五模十頻作為采購的硬性技術指標要求。在今年首批16萬部TD-LTE終端招標中，絕大多數國內芯片廠商因此拒之門外，促成了高通一家獨大。
這引起了業界極大爭議。業內人士評論，這不利于TD-LTE芯片產業的健康發展；且無形之中推高了成本，阻礙了TD-LTE終端的普及，與中移動意圖迅速推動TD-LTE網絡大規模商用的意愿相違。
事實上，國內芯片廠商通過不斷研發，已經完全能夠實現GSM/TD-SCDMA/TD-LTE等模式的三模芯片成熟商用。TD產業聯盟秘書長楊驊就曾指出，TD-LTE終端市場無需五模一刀切，在國內芯片企業五模產品還不成熟的時候，要有三模產品的發展空間。
中國移動也意識到高門檻導致TD-LTE終端舉步維艱，開始調整策略，不再堅持五模十頻的硬指標，開始引入三模產品。從五模降到三模，會極大的影響TD-LTE芯片供應格局，讓苦苦追趕的國內芯片廠商，迎頭趕上發展的良好機遇。
專利爭端
此外，國家發改委還宣布啟動對高通的反壟斷調查，如果反壟斷調查結果成立，高通公司可能面臨最高12.3億美元的罰款。一時間，這個在3G時代叱咤風云，擁有絕對主導權的芯片公司陷入被動，也讓其在中國4G時代下的發展前景變得撲朔迷離。
雖然國家發改委未明確解釋對高通公司展開反壟斷調查的真正原因，但有觀點認為，這或將與高通公司針對國內不同客戶，在收取專利費時區別對待，采取不同的計價方式有關。也有傳言稱，目前正值高通公司與國內終端廠商進行4G技術專利授權的關鍵時刻，而高通公司表現出的強硬態度或許是點燃此次反壟斷調查的導火索之一。
不過不管是什么原因，對于國產芯片廠商發展都將帶來利好。有研究指出，本次反壟斷調查能延緩高通在新一代通訊技術發展之際對于芯片與技術的進一步滲透，給予國內芯片廠商更多的時間和更寬裕的環境，研發、制造來提升實力及市場份額。
有關專家強調，4G時代，TD-LTE或將撬動千億產業鏈，國內芯片企業應抓住機遇，加大自主研發力度，掌握更多核心專利技術，擺脫2G、3G時代受制于人的局面。
演進的未來：技術產品不斷與時俱進
國內外芯片廠商尤其是國內芯片廠商要想在未來芯片市場上占據一席之地，開發工作必須要與新技術和新標準同步進行，同時不斷提高芯片高集成度、高性能以及降低成本和功耗。
工藝制程
雖然在芯片環節還受限于多模多頻的挑戰，但一個顯見的事實是制程工藝成熟度的提升是突破這一瓶頸的關鍵。在3G時代早期，多模TD芯片廠商基本采用65nm甚至90nm制程，導致成本功耗居高不下，一直阻礙著TD-SCDMA的發展。
但隨著TD—LTE時代的到來，多模多頻基帶以及平臺芯片復雜度的提高，以及成本、功耗要求的不斷提高，聯芯科技總經理助理、大唐電信集團首席專家劉光軍指出，未來LTE芯片在工藝上要加速向28nm、20nm甚至更先進工藝演進，同時要求更先進的封裝技術。單芯片SoC、系統級封裝有助于實現芯片的小型化，進一步降低成本。
產品標準
除了要求基帶和射頻支持多模多頻之外，從發展來看，TD-LTE智能終端還需應用處理器具備強大的數據與多媒體處理能力。聯發科技中國區總經理章維力就表示，在4G時代，數據流量的爆發和智能手機多媒體化的發展成為主流特征，具有強大數據和多媒體能力的智能手機芯片將是市場發展的主要方向。
同時，雖然國內外廠商在LTE芯片領域高歌猛進，但Marvell移動產品總監張路指出：根據ITU的定義，4G應該是在定點狀況，下載速率達1Gbps；在高速移動狀況，下載速率達100Mbps。TDD和FDD技術都可以滿足ITU 4G的標準。LTE只是邁向4G的第一步，以后會是LTE-Advanced。LTE-A明年就會在北美和歐洲開始商用，中國芯片廠商需做相應的技術儲備和產品研發。
而對于LTE的后續演進，章維力指出，聯發科會密切觀察和參與LTE-A技術標準的制定，跟隨運營商在LTE-A技術演進的步伐。在研發方面，芯片廠商應該做好無線技術方面的準備，同時也要面對超寬帶無線技術對手機整體系統芯片帶來的挑戰。

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