指標(biāo)代碼 | 指標(biāo)項(xiàng) | 闡述要點(diǎn) |
T | 操作和存儲(chǔ)溫度 | 2 |
H | 濕度 | 3 |
C | 腐蝕 | 4 |
V | 震動(dòng) | 5 |
A | 模塊附著力 | 6 |
R | 數(shù)據(jù)保存時(shí)間 | 7 |
E | 擦寫(xiě)次數(shù) | 8 |
M | 抗電磁干擾 | 9 |
X | 抗X光 | 10 |
S | 抗靜電 | 11 |
2. 操作和存儲(chǔ)溫度
普通SIM卡的操作及存儲(chǔ)溫度標(biāo)準(zhǔn)范圍是：-25°C~85°C。
M2M專用卡溫度分為七個(gè)等級(jí)，分別是T1，T2，T3，T4，T5，T6，T7各等級(jí)的溫度范圍
如下表所示：
表2 溫度指標(biāo)列表
溫度級(jí)別 | 指標(biāo)要求 |
T1 | -25 to +85°C |
T2 | -40 to +85°C |
T3 | -40 to +105°C |
T4 | -40 to +125°C |
T5 | -65 to +125°C |
T6 | -65 to +150°C |
T7（存儲(chǔ)溫度） | -65 to +300°C |
滿足以上級(jí)別要求的M2M專用卡應(yīng)保證：卡片暴露在溫度范圍規(guī)定的最高溫度或者最低
溫度下1000小時(shí)，卡的操作正常且存儲(chǔ)正常（T7只要求存儲(chǔ)溫度）。
3. 濕度
濕度目前分為兩個(gè)等級(jí)，指標(biāo)要求如下表所示：
表3 濕度指標(biāo)列表
濕度級(jí)別 | 指標(biāo)要求 |
H1 | 在 50 度 溫 度 ， 相 對(duì) 濕 度 范 圍 90%~95%，1000小時(shí)的條件下，可以保證卡的操作和存儲(chǔ)正常。 |
H2 | 在 85 度 溫 度 ， 相 對(duì) 濕 度 范 圍 90%~95%，1000小時(shí)的條件下，可以保證卡的操作和存儲(chǔ)正常。 |
4. 腐蝕
腐蝕目前只有一個(gè)等級(jí)為C1，指標(biāo)要求如下表所示：
表4 腐蝕指標(biāo)列表
濕度級(jí)別 | 指標(biāo)要求 |
C1 | 在5%鹽度(NaCl)的環(huán)境下存儲(chǔ)至 少24小時(shí)，卡的操作和存儲(chǔ)正常。 |
5. 震動(dòng)
震動(dòng)分為三個(gè)等級(jí)，分別是V1，V2，V3，各等級(jí)的震動(dòng)范圍如下表所示：
表5 震動(dòng)指標(biāo)列表
震動(dòng)級(jí)別 | 指標(biāo)要求 |
V1 | 5Hz to 500Hz |
V2 | 10Hz to 1000Hz |
V3 | 20Hz to 2000Hz |
滿足以上級(jí)別要求的M2M專用卡應(yīng)保證：在以上等級(jí)的震動(dòng)環(huán)境下至少2小時(shí)，卡的操作
和存儲(chǔ)正常。
對(duì)于加速度、振幅等的詳細(xì)要求參見(jiàn)附錄B。
針對(duì)V1的指標(biāo)等級(jí)范圍是附錄B中的等級(jí)3～8；針對(duì)V2的指標(biāo)等級(jí)范圍是附錄B中等級(jí)2；
針對(duì)V3的指標(biāo)等級(jí)范圍是附錄B中的等級(jí)1。
6. 附著力
附著力目前只有一個(gè)等級(jí)為A1，指標(biāo)要求如下表所示：
表6 附著力指標(biāo)列表
附著力級(jí)別 | 指標(biāo)要求 |
A1 | 對(duì)卡施加60N的拉力并持續(xù)1分鐘， 模塊不應(yīng)從卡上分離，卡的操作和 存儲(chǔ)正常。 |
7. 數(shù)據(jù)保存時(shí)間
數(shù)據(jù)保存時(shí)間是指在無(wú)源儲(chǔ)存情況下的數(shù)據(jù)保存時(shí)間，不包括由于對(duì)M2M專用卡的擦寫(xiě)6
操作導(dǎo)致卡片數(shù)據(jù)損壞的情況。
數(shù)據(jù)保存時(shí)間分為四個(gè)等級(jí)，分別是R1，R2，R3，R4，各等級(jí)的指標(biāo)要求如下表所示：
表7 數(shù)據(jù)保存時(shí)間指標(biāo)列表
數(shù)據(jù)保存時(shí)間級(jí)別 | 指標(biāo)要求 |
R1 | 10年 |
R2 | 15年 |
R3 | 20年 |
R4 | 25年 |
在每個(gè)時(shí)間指標(biāo)下，根據(jù)最高存儲(chǔ)溫度范圍，可分為85°C、105°C、125°C三個(gè)等級(jí)。
8. 擦寫(xiě)次數(shù)
擦寫(xiě)次數(shù)是指通過(guò)UPDATE指令(參見(jiàn)TS102.221)更新M2M專用卡內(nèi)數(shù)據(jù)，保證M2M專用卡
可以正常擦寫(xiě)和讀取的最小次數(shù)。在對(duì)M2M專用卡進(jìn)行重復(fù)擦寫(xiě)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)的情況下，保證
某些常用文件（例如SMS）和數(shù)據(jù)不會(huì)因頻繁操作而導(dǎo)致?lián)p壞。
卡片擦寫(xiě)次數(shù)分為四個(gè)等級(jí)，分別是E1，E2，E3，E4，各等級(jí)的指標(biāo)要求如下表所示：
表8 擦寫(xiě)次數(shù)指標(biāo)列表
擦寫(xiě)次數(shù)級(jí)別 | 指標(biāo)要求 |
E1 | 10萬(wàn)次 |
E2 | 50萬(wàn)次 |
E3 | 100萬(wàn)次 |
E4 | 500萬(wàn)次 |
9. 抗電磁干擾
抗電磁干擾分為兩個(gè)等級(jí)，指標(biāo)要求如下表所示：
表9 抗電磁干擾指標(biāo)列表
電磁級(jí)別 | 指標(biāo)要求 |
M1 | 在卡暴露在穩(wěn)定的79500A/m （1000Qe）磁場(chǎng)下，不應(yīng)降低卡片功能。 |
M2 | 在 卡 暴 露 在 穩(wěn) 定 的640000A/m（1000Qe）磁場(chǎng)下， 不應(yīng)降低卡片功能。 |
10. 抗 X 光(紫外線)
抗X光(紫外線)分為1個(gè)等級(jí)，指標(biāo)要求如下表所示：
表10 抗X光指標(biāo)列表
電磁級(jí)別 | 指標(biāo)要求 |
X1 | 在卡的任何一面每邊在受到0.1Gy 劑 量 ， 相 當(dāng) 于 70 ～ 140KeV中等能量X射線照射時(shí)（一年的累計(jì)劑量），不應(yīng)降低卡片功能。 |
11. 抗靜電
抗靜電分為三個(gè)等級(jí)，指標(biāo)要求如下表所示：
表11 抗靜電指標(biāo)列表
靜電級(jí)別 | 指標(biāo)要求 |
S1 | 在卡暴露在2000V的靜電環(huán)境中，不應(yīng)降低卡片功能。 |
S2 | 在卡暴露在4000V的靜電環(huán)境中，不應(yīng)降低卡片功能。 |
S3 | 在卡暴露在8000V的靜電環(huán)境中，不應(yīng)降低卡片功能。 |
標(biāo)簽：棗莊 重慶 河北 廊坊 濰坊 北海 佳木斯 澳門(mén)
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